test(실험) 9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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작성일 19-10-10 15:48본문
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이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, characteristic(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 실험이 다.
실험한 결과를 아래의 표로 요점하고, 이를 이용하여 characteristic(특성)곡선을 그려보았다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
...
`실험 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. 실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)characteristic(특성)을 실험적으로 결정한다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, characteristic(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 실험이 다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 characteristic(특성)곡선 그래프이다.실험결과/기타
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기 , 실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기기타실험결과 , 실험 MOSFET 소스 공통 증폭기
순서
`실험 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. 실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)characteristic(특성)을 실험적으로 결정한다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 characteristic(특성)곡선 그래프이다.
실험한 결과를 아래의 표로 요점하고, 이를 이용하여 characteristic(특성)곡선을 그려보았다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(measurement)한다.
Ⅱ. 실험 결과 및 분석
드레인 characteristic(특성)(게이트 제어) 실험은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 變化(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(measurement)한다.
Ⅱ. 실험 결과 및 분석
드레인 characteristic(특성)(게이트 제어) 실험은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 變化(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(measurement)한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
13
15
VGS, V
-0.8
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.7
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.6
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.5
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.4
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.3
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.2
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-…(skip)
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test(실험) 9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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test(실험) 9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
설명
다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(measurement)한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.